中國教育報-中國教育新聞網(wǎng)訊(記者 任朝霞)人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術(shù),然而當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒級,無法滿足應用需求。復旦大學周鵬—劉春森團隊前期研究表明二維半導體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑵渌俣忍嵘磺П兑陨希瑢崿F(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術(shù)。日前,團隊從界面工程出發(fā),在國際上首次實現(xiàn)了最大規(guī)模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證,并成功研發(fā)了8納米極限微縮超快閃存器件,該成果將推動超快顛覆性閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應用。8月12日,相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》為題發(fā)表于《自然—電子學》雜志。
超快閃存集成工藝和統(tǒng)計性能。學校供圖
據(jù)介紹,團隊開發(fā)了超界面工程技術(shù),在規(guī)?;S閃存中實現(xiàn)了具備原子級平整度的異質(zhì)界面,結(jié)合高精度的表征技術(shù),顯示集成工藝顯著優(yōu)于國際水平。通過嚴格的直流存儲窗口、交流脈沖存儲性能測試,證實了二維新機制閃存在1Kb存儲規(guī)模中,納秒級非易失編程速度下良率高達98%,這一良率已高于國際半導體技術(shù)路線圖對閃存制造89.5%的良率要求。
同時,研究團隊研發(fā)了不依賴先進光刻設備的自對準工藝,結(jié)合原始創(chuàng)新的超快存儲疊層電場設計理論,成功實現(xiàn)了溝道長度為8納米的超快閃存器件,是當前國際最短溝道閃存器件,并突破了硅基閃存物理尺寸極限(約15納米)。在原子級薄層溝道支持下,這一超小尺寸器件具備20納秒超快編程、10年非易失、十萬次循環(huán)壽命和多態(tài)存儲性能。
復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院劉春森研究員和微電子學院周鵬教授為論文通訊作者,劉春森研究員和博士生江勇波、曹振遠為論文第一作者。
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